|
Tomsk Politexnik Universitetinin (RF) alimləri dünyada
ilk dəfə olaraq digər maddələrin səth qatının daxilində
almaz nanohissəciklərinin yetişdirilməsi üsulunu
tapmışlar.
Gələcəkdə bu metal məmulatların və yarımkeçiricilərin
xassələrini onların almaz bərkliyinə nail olmazdan
əvvəl xassələrini dəyişməyə imkan verəcək. "Biz
maddələrə (silisium) karbon ionları vasitəsi ilə təsir
edərək nəticədə nanoölçül almazlar və silisiumun üst
səthində silisium-karbid hissəciyini sintez edə
bilmişik", - deyə universitetin professoru Gennadi
Remnev bildirmişdir. O qeyd etmişdir ki, bu yolla almaz
sintez etmək prinsip etibarı ilə təkcə silisiumda deyil,
digər metallarda da olar.
Nanohissəciklər yüksək temperatur və təzyiq sayəsində
karbon ionlarının müşayiəti ilə maddələrin yuxarı
təbəqəsinə nüfuz edirlər.
Universitet alimləri tədqiqatlara 3 il əvvəl
başlamışlar, 2012-ci ilin sonlarında isə bu işə görə
patent almışlar. Onların ixtirası RF intellektual
mülkiyyət federal xidmətinin versiyasna görə Rusiyanın
100 ən yaxşı ixtirası sırasına daxil olmuşdur.
Səhifəni hazırladılar: Yusif ƏLİYEV, Oruc MUSTAFAYEV |
